莫仕

　　PI3WVR14412Q 可供峰峰值(Peak-to-Peak) 1.2V 的高速差分信号通过，允许自 0V 至达 3.3V电源轨的共模电压。宽广的电压范围允许 DC 信号耦合，让设计者节省出原本 AC 耦合电容器所需的 PCB 面积。
莫仕AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server)系列，可依应用需求搭配多种加速卡，弹性且多样性的搭配组合能符合智能制造应用的多种变化，包含GPU 卡、运动控制卡、IO卡、影像撷取卡等，并搭配防尘功能及短机箱设计，适合工厂和自动化环境。
　　碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ? 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。

　　DELO-DOT PN5 LV 中的驱动器可运行 10 亿周期以上，达到的坚固性标准。液体柱塞由陶瓷和硬质合金等耐用材料组成。由于采用了两部分结构，用户可以在出现磨损时（使用寿命结束时）更换柱塞本身和喷嘴。插销栓无需任何工具即可轻松拆卸。液体系统的清洁也可以轻松完成。
　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。
莫仕这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用，并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。
　　该产品将 TDK 独特的设计知识用于设计内部结构，高频性能等同或优于传统产品。比如，电感器的内部结构设计能够降低因设备安装点中的裂纹导致断路故障的几率。结合汽车电路板制造指引，TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。TDK将进一步扩大产品线，满足不断变化的客户需求。
　　RZ/V2H处理器采用功率效率达10 TOPS/W的Renesas专有DRP（动态可重新设定处理器）-AI3 AI加速器。此外，该处理器还集成了四个Arm? Cortex?-A55 CPU核心，工作频率为1.8 GHz，是专为Linux应用处理而量身定制的。为实现高效能实时处理，该处理器采用了两个800 MHz运行频率的Cortex-R8核心和一个作为子核心运行的Cortex-M33核心。该装置将这些核心集成到单个芯片中，可有效地管理视觉AI和实时控制任务，成为要求苛刻的机器人应用的理想选择。

根据 ISO 26262 标准开发的 HAR 3920 符合 ASIL C 级要求，适合集成到 ASIL D 级的汽车安全相关系统中。此传感器适用于油门踏板位置或节流阀位置测量，或非接触式电位器等应用场景。**计划于 2024 年 4 月投产；样品现在可应要求提供。
莫仕　　DGH 类型的工作电压高达 8.1V（-40 至 +65°C），330mF 版本的尺寸为 25 x 8.5 x 16mm 高，5F 版本的尺寸为 39 x 13 x 33mm。如果电压降低至 6.9V，它们的工作温度也将高达 85°C。在额定温度和电压下，预计使用寿命为 1,500 小时。
　　该款全新的交叉开关符合汽车规格* – 符合 AEC-Q100 2 级标准，可在-40°C 至 +105°C 的环境下使用，由通过 IATF 16949 的设施制造，并支持 PPAP 。PI3USB31532Q 供应数量以 3,500 个为单位。
　　常见的电源噪声对策是在电源噪声的传播路径——电源线和GND之间配置电容器，从而将噪声释放到GND。该对策方法的噪声消除性能随着所使用的电容器的阻抗降低而提高。但是，在谐波区域，电容器内部有作为电感器工作的寄生分量 (被称为ESL)，它会导致阻抗增加，所以会降低噪声消除性能。