广濑

　　此次，三菱电机将推出配备SiC-MOSFET或RC-IGBT（Si）的J3系列紧凑型模块，作为在汽车市场得到广泛应用的T-PM的一代产品，这两种模块使用相同的封装，使xEV驱动电机逆变器能够进一步缩小尺寸。
广濑Smart Sense产品具有2 kV静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护。电流检测响应时间约为200 ns，小于等于普通控制器的消隐时间，具有极高的兼容性。
美光 128GB DDR5 RDIMM 内存是首款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的大容量 DIMM 产品，已完成第四代和第五代英特尔? 至强? 处理器平台上的内存兼容性。该款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的 DDR5 内存模组可加速关键服务器和 AI 系统配置，为基于英特尔? 至强? 处理器的系统带来关键的性能、容量和至关重要的能效优势。我们很高兴继续与美光合作，推动创新产品在市场上的广泛应用，解决 AI 和服务器客户面临的内存容量和能耗瓶颈问题。

HAL/HAR 3936 具有多功能编程特征以及高精度，这款传感器是转向柱开关、换挡器、制动踏板位置传感器或制动行程传感器的潜在解决方案。**现可提供样品。计划于 2024 年低投产。
　　ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能，与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。
广濑在基于Galaxy AI的能量得分与健康小贴士功能帮助下，用户可以更加具体地了解身体信息，并通过个性化健康建议以及自动检测健身、久坐提醒等功能提升健康水平。戒指充电盒拥有如水晶般清澈的外观，并支持无线充电，用户可以通过多功能按钮周围的灯光轻松了解当前的充电电量。
　　连接器额定电流0.5A，额定电压50V，触点间距1mm，组合高度4.5mm。适用于-40℃~+125℃的严苛环境，满足工业设备的应用需求。产品插头与插座采用防呆结构，可防止误插。公母座两端设有铁耳装置，有效增加了连接器在PCB板的焊接强度，同时分散应力，确保振动冲击环境下连接器的保持力。 连接器还设有定位柱结构，可使连接器在PCB板上的定位安装更准确。
与模拟控制电源相比，这种电源无需考虑设计裕量，从而有助于缩小电源的体积并提高电源的可靠性。此外，由于工作日志数据可以存储在微控制器内的非易失性存储器中，因此非常适用于要求存储日志作为故障时备份的工业设备电源。

　　技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出工业面阵5MP全局快门近红外增强CMOS图像传感器SC538HGS。SC538HGS基于思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术，搭载了Lightbox IR?近红外增强技术，具备高感度、高分辨率、高信噪比、低功耗四大优势性能。
广濑与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
　　据该公司称，其第八代产品“这些设备结合了 600V CoolMOS 7 系列的功能，是 P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7 产品系列的继任者”。“它们配备了一个集成的快速体二极管，并采用 SMD QDPAK、TOLL 和 ThinTOLL 8 x 8 封装。”
　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。