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　　为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
hirose　　芯片内部包括一个高精度带隙电路、一个模数转换器、一个带非易失性存储器的校准单元和两个DAC输出。温湿度模拟输出电压稳定，标准环境下温湿度输出电压抖动不超过0.01V。芯片精度高，输出电压分辨率可达1mV。测量温湿度响应速度快，而且模拟输出IO口驱动能力可达2mA.
IMU还内置意法半导体 的 Qvar 电荷变化检测器，支持应用集成触摸检测和接近检测或漏水检测等增值功能，提高系统集成度和能效。

　　理论上，NAND芯片的堆叠层数越多，其输入输出效率越高、读写速度越快、功耗越低，在相同容量情况下物理空间占用越小。在美光公司媒体交流会上，美光存储事业部 NAND 产品生命周期管理及应用工程总监Daniel Loughmiller回应了记者对堆叠层数的关注.
此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 ?A，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
hirose此外，对电流检测放大器、保护功能和逆变器级的集成进一步缩减了解决方案的尺寸和成本，从而可协助工程师开发更小巧的电机驱动器系统。
　日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns，典型正向电压低至1.5 V，半强角只有± 10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。
　　IT6600系列的设计理念超越了传统直流电源的限制，带来了一种创新的宽范围输出解决方案。这款电源不仅在单一3U机架内实现了两个独立的21kW通道，能够独立控制和量测，使得单台设备就能够同时执行两项完全不同的测试任务。例如，通道1可用于逆变器测试，而通道2则专注于电池的性能评估。

　　此外，NSHT30-Q1的I2C接口具有两个可选择的I2C地址，通信速度高达1 MHz，还支持2.0 V至5.5 V的宽电源电压范围，适用于各种应用环境。同时具有可编程的中断阈值，可以提供警报和系统唤醒，而不需要微控制器来持续监控系统。
hirose　　Reno12系列还为游戏体验带来多项全新升级。Reno12 系列搭载 OPPO 的浓缩内存技术，显著提升应用启动速度和后台保留能力。Reno12 系列提供 16GB 内存与 512GB 存储，配合LPDDR5X 与 UFS3.1 组成的超速大内存组合，让流畅加倍。
旗下备受青睐的IT-M3100可编程直流电源系列再添新星，隆重推出全新1000V高压型号。这款新成员不仅功率覆盖从400W到1500W，更以紧凑设计著称，1U高度、半宽机架，完美适用于实验室和产线系统控制。不仅如此，IT-M3100系列还支持高达256通道的同步控制，大幅提升产线测试效率，堪称灵活高效的测试利器。
同时，CVM012x系列车规MCU集成了高性能电容检测IP，采用曦华独创的电容检测技术，具备极高的电容检测精度，自互一体电容检测技术，支持4nF负载电容、30ch自容通道以及15 x 15ch互容通道，支持Active Shielding技术以更好的支持触摸防水性能。CVM012x系列支持多封装和多Flash配置，具有丰富的产品矩阵以满足客户的产品实际需求。产品满足可靠性AEC-Q100 Grade 2，可支持ISO 26262 ASIL-B功能安全标准的车规应用。