德国魏德米勒

多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
德国魏德米勒英飞凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。
　　ESP32-H2-MINI-1x模组很适合通过结合ESP Wi-Fi SoC的方式，来构建Thread终端设备、Thread边界路由器与Matter网桥。结构紧凑的ESP32-H2-MINI-1x模组与ESP32-C3-MINI和ESP32-C6-MINI模组引脚兼容。ESP32-H2-MINI-1x模组拥有320KB SRAM（其中有16KB缓存）、128KB ROM和4KB LP内存，同时内置2MB或4MB SiP闪存。

　　此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常适对能效要求很高的相移零压开关拓扑。
该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的DPAK封装的引脚对引脚兼容设计。
德国魏德米勒　　TDK株式会社（TSE：6762）扩大了其汽车用CGA系列100V积层陶瓷贴片电容器（MLCC）产品阵容，2012规格（2.0 x 1.25 x 1.25 毫米-长x宽x厚）的电容为22μF，3216规格（3.2 x 1.6 x 1.6 毫米-长x宽x厚）的电容为47μF，新产品具有业内电容*。该系列产品于2024年3月开始量产。
因此我们得以缩短交付时间，更快提供搭配NVIDIA HGX H100和H200，以及即将推出的B100、B200和GB200解决方案的可立即使用型液冷或气冷计算丛集。从液冷板到CDU乃至冷却塔，我们的机柜级全方位液冷解决方案可以降低数据中心40%的持续用电量。
　　在安全监控系统市场上，一个潜在客户在监控摄像头中用STM32U0唤醒系统，当发现有人移动时，摄像头自动唤醒并拍摄，实现节能和监控两不误。另一个客户用STM32U0设计了一个续航时间超长的烟火探测器，Ascol公司用STM32U0管理注重功耗的水表功能。

由于许多使用Rust的项目都要重新使用传统代码，并保留对C/C++的投入，因此这一混合方案可能更具吸引力。我们很高兴能为英飞凌的 Rust 生态系统做出贡献，推出首款通过安全的 Rust 编译器，帮助AURIX?客户开发更加安全高效的应用。
德国魏德米勒　　PVA 是一种水溶性材料，可用于为以其他材料打印的物体打印可洗支撑物。
　　PETG，几乎与 PLA 一样易于打印，并且几乎与 ABS 一样耐冲击和耐热。用于成品和坚固的原型。
　　PA（聚酰胺/尼龙），半柔性，非常坚韧耐用，适用于轴承、结构部件和连接器。
　　TDK 株式会社（TSE：6762）利用其卓尔不凡的霍尔效应 3D 位置传感器产品系列的成员 HAL/HAR 3936*，进一步扩展了其的 Micronas 3D HAL 位置传感器系列。HAL/HAR 3936 是磁位处理技术的重大进步，旨在满足现代汽车和工业应用场景的苛刻要求。
　　目前国内电动车充电桩一般都带有电能计量功能，一方面增强产品竞争力，一方面借此完成过流、过压保护。复旦微电子集团本次推出的新品FM2165芯片，集成B/EV型剩余电流保护、电能计量、过流/过欠压保护功能，满足充电桩的应用需求。FM2165支持高精度单相多功能计量，兼具高可靠漏电检测性能，具备丰富的通讯接口，响应精准、迅速，支持Bootloader固件升级。