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　　这两款收发器使用简便，无需安装驱动软件或协议栈，不仅提升了终端用户体验外，还支持快速、高效的非接触式产品测试和调试，包括在生产线上和售后无线固件（FOTA）。
wago中国　　OCP9225AH具有过电压保护功能，如果输入电压超过OVP阈值，可使内部FET断电。OVP阈值可通过可选的外部电阻器进行调节，公式为VIN_OVLO = 1.2× (R1+R2)/R2。过温保护也会在140℃时关闭设备（典型情况）。
　　OCP9225AH有完全“绿色”兼容的1.237mm*1.912mm WLCSP-12B封装。
　　在以中等功率工作的工业机器人和半导体制造设备等应用中，大多采用模拟控制电源。然而近年来，要求这类电源要具备高可靠性和精细控制功能，仅采用模拟控制方式的电源配置已经很难满足市场需求。另一方面，全数字控制电源虽然可以进行更精细的控制和设置，但存在所用的数字控制器功耗大、成本高等问题，因此在中小功率电源中很难普及应用。

　　这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性，这意味着开关过程中的损耗极低。此外，该二极管在热管理方面的改进也令人瞩目，有助于降低系统冷却需求，使工程师能够设计出更高效、性能更优的电源系统。通过减少系统产生的热量，这些器件允许使用更小的散热器，从而节省了成本和空间。
GD32F5系列支持2MB程序RWW (Read-While-Write) OTA升级，能够在业务不中断的情况下进行代码升级，兼顾实时性与稳定性。外部总线扩展(EXMC)支持访问SDRAM、SRAM、ROM、NOR Flash、NAND Flash及PC Card等多种片外存储器。凭借其超大容量存储空间，GD32F5能够满足复杂工业系统对于代码升级备份的需求。
wago中国　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
推出六款新型电源模块，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术，与市场上同类产品相比，尺寸缩小了多达 23%，支持工业、企业和通信应用的设计人员实现更高的性能水平。
　　当前的高功率密度 GaN 和 SiC FET 充电和电源基础设施需要高速度、低损耗器件，以确保效率和可靠性。现有电流感应解决方案的工作范围有限，而且设计中需要额外的组件和更大的材料清单 (BOM)，增加了应用的尺寸和重量。

　　GD32E235系列MCU提供了包含LQFP48/32、QFN48/32/28、TSSOP20和LGA20在内的七种封装共22个型号选择，目前已经正式量产供货。针对于不同封装和管脚配置的一系列配套开发工具也已同步推出，包括GD32E235C-EVAL全功能评估板以及GD32E235K-START、GD32E235G-START、GD32E235F-START、GD32E235V-START等入门级学习套件，将为用户带来便捷的开发和调试体验。
wago中国　　这款器件边绕线圈的直流内阻（DCR）低至1.1mΩ，极大限度减少损耗，有助于改善额定电流性能，提高效率。与铁氧体解决方案相比，IHDF-1300AE-1A额定电流提高75%。器件采用超薄封装，便于设计师满足AEC-Q200标准严格的机械冲击和振动要求，同时降低基板高度，节省空间。
全新 CRF 系列大电流金属条 Jumper。Jumper也称为零欧姆电阻，具有极低阻值，用于连接 PCB 上无法通过印刷线路连接的分隔点。与厚膜 Jumper 相比，Bourns 符合 AEC-Q200 标准的新型大功率 Jumper 具有更大的额定电流和更低的电阻，非常适合广泛的消费、工业、电信和汽车设计。
基于盘控协同架构，网络数据直通NVMe SSD，进一步提升单盘带宽；在数据归档与管理阶段，AS13000G7-N提供了多元异构存储的统一纳管能力，保障数据资产高效存储与管理，大幅提升存储资源的利用率且化数据基础设施投资回报比。