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　　RG255C-GL符合3GPP R17标准，支持5G Sub-6独立组网（SA）模式和LTE Cat 4网络，并兼容 Rel-15(SA) 和 Rel-16(SA) 网络，可很好地满足无缝集成和灵活部署的需求。该模组支持高达223 Mbps的下行速率和123 Mbps的上行速率，非常适合CPE、MiFi、路由器、网关、定位器及工业PDA等应用。
广濑连接器中文官网达到PMBusTM 标准的主动监测功能可以提高系统可靠性。严重过流（SOC）时，可编程栅极关断功能可在1 ?s内实现稳健的关断操作。先进的闭环SOA控制确保了更高的MOSFET可靠性，全数字工作模式更大程度地减少了对外部半导体元件的需求，提供了一个紧凑的解决方案，使其成为空间受限设计的上佳选择，具有极高的成本效益。
　　提高生产力：对于运行典型企业工作负载（例如数据库）的类似配置的系统，与上一代 FlashSystem 5200 相比，IBM FlashSystem 5300 能够在 70/30/50 典型生产工作负载[1]上提升 45% 的吞吐量，在顺序工作负载上至少提高 50% 的带宽。

英飞凌还推出了EVAL_eFuse_PoC_400V_S7概念验证板，展示了汽车电子保险丝的稳健性和多功能性，以及保护汽车电气系统的可靠方法，具有可互换的功率级，能够适应不同电压等级和冷却方式的各种工作条件。
　　除可见光之外，许多领域需借助红外热成像技术来完成行业特定作业需求，如消防救援查找火源、夜间人员搜救及动物保护监测、能源巡检排查故障隐患等，禅思H30T自带热成像相机，能够帮助行业用户更加安全高效地确认目标。热成像相机分辨率为 1280 x 1024 ，比上一代提升了 4 倍[4]，同时支持 32 倍数码变焦。
广濑连接器中文官网型接近传感器—VCNL36828P，提高消费类电子应用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面发射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面贴装封装中集成光电二极管、专用集成电路（ASIC）、16位 ADC和智能双I2C从机地址。
适于IrDA应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为1米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。为提高便携式设备电池使用寿命，模块降低了功耗，闲置供电电流 < 70 μA，关断模式 < 1 μA。 　　针对硅阳极锂离子电池的特点，希荻微推出了HL7603，一款专为硅阳极锂离子电池设计的DC-DC芯片，大幅提高电池的电量输出和提高电池续航能力。HL7603的诞生，极大的推动硅阳极电池在移动设备上的普及应用，满足AI手机对电池管理的高效需求。
　　当输出电流超过设定阈值时，HL8518会调节功率FET，将输出电流箝位至预设定值。将ILIM引脚接地时，电流限制阈值为内部默认值。芯片根据负载限流情况实现关断或重新激活，恢复电源路径。
广濑连接器中文官网　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
　　目前，该系列产品包含8种产品，涵盖3.3 V、5 V、12 V、20 V四种电压等级，适用于各种供电电压的过压保护，每种电压都有两种类型——自动重试型（eFuse IC自动恢复电路）和锁存型（通过外部信号触发恢复）。客户可以根据自己的需求和设备尺寸选择合适的产品。
此次推出的思特威手机应用1600万像素图像传感器升级新品SC1620CS，基于先进的SmartClarity-3技术打造，搭载思特威独特的SFCPixel-SL等技术和工艺，集优异的高感度、高动态范围、低噪声等性能优势于一身，为智能手机提供真实、清晰的优质影像，满足日常光线场景和暗光场景下的手机影像拍摄需求。